عنوان مقاله: حالت هاي مختلف بستن مدارات Op-Amp
قالب فایل: WORD
تعداد صفحات: 14 صفحه

در این مقاله با نحوه هاي مختلف بستن مدارات آپ امپي آشنا مي شويد. فهرست مطالب این مقاله به شرح زیر است:

● تقويت کننده معکوس (Inverting Amplifier)
● تقویت کننده مستقیم
● دنبال کننده ولتاژ
● تقویت کننده ولتاژ به جریان
● تقویت کننده جریان به ولتاژ
● مدار نمونه با استفاده از دیود
● مدار انتگرال گیر
● مدار مشتق گیر
● مدار جمع کننده
● مدار تفریق کننده


* برای دریافت بخشی از ابتدای مقاله (با حجم بسیار کم) اینجا کلیک کنید

:: برچسب‌ها: مدار , Op-Amp , تقویت کننده , انتگرال گیر , مشتق گیر , جمع کننده , تفریق کننده ,
:: بازدید از این مطلب : 65

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) نوینی ارائه می‌گردد که برای عملکرد با توانهای بسیار پایین بهینه سازی شده است. مدار مذکور، بر پایه گیتهای XOR اصلاح شده‌ای طراحی گشته که با هدف کمینه سازی مصرف توان در ناحیه زیرآستانه‌ای عمل می کنند. نتایج شبیه سازی شده با مدلهای استاندارد CMOS 65 نانومتر انجام شده است. نتایج شبیه سازی، یک بهبود 5 تا 20 درصدی را در بازه فرکانسی 1Khz تا 20MHz و ولتاژهای تغذیه زیر 0.3V نشان میدهد. مقدمه تغییر مقیاس ولتاژ تغذیه  یکی از موثرترین راهها در کاهش مصرف توان مدارهای دیجیتال است. کارایی این روش بعلت وجود رابطه درجه دوم میان مصرف توان دینامیک و ولتاژ تغذیه می باشد. اما در این روش، عملکرد مدار به خاطر رابطه معکوس تاخیر مدار با سطح جریان کاهش می یابد. به همین علت، ولتاژ آستانه را در فرایندهای زیرمیکرونی عمیق برای رفع این مشکل کاهش می دهند. کاهش ولتاژ آستانه، منجر به افزایش نمایی جریان زیرآستانه  می‌گردد که امکان استفاده از این ناحیه (زیرآستانه) را در مدارهای منطقی ارزیابی   - با کران نویز قابل قبول - می دهد. بدون اعمال روشهای خاص، عملکرد زیرآستانه ای سبب کاهش سرعت پاسخگویی (به سبب کاهش جریان) می شود. جریان مورد ارزیابی در این حالت، جریانی است که در ولتاژ گیت –سورس کوچکتر یا مساوی ولتاژ آستانه و ولتاژ تغذیه نزدیک به ولتاژ آستانه رخ می دهد. همانطور که در شکل 1 مشاهده می شود، نسبت I_on (وقتی ترانزیستور در حال ارزیابی است) به I_off (وقتی ولتاژ گیت-سورس صفر یا نزدیک صفر است) در مقایسه با Ion/Ioff در ولتاژهای تغذیه‌ی بالا، کوچکتر است. با این حال، در کاربردهای با مصرف توان بسیار پایین (مثل ایمپلنتها یا حسگرهای بدون سیم)، سرعت کاری دغدغه اصلی طراحی نیست، زیرا قیود پهنای باندی در این موارد با مسامحه اعمال می گردد. برای این کاربردها، مهمترین هدف طراحی بهینه سازی بمنظور مصرف توان پایین است. جمع دو بیت A و B با بیت نقلی Cin، بیت SUM (مجموع)  و بیت خروجی نقلی Cout را تولید می‌کند. 

:: برچسب‌ها: نانومتر , جمع کننده , جمع کننده کامل 1 بیتی زیر آستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری , Bit Sub Threshold Full Adders in 65nm CMOS Technology , ترانزیستور , گیت , ایمپلنت , مقاله برق , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی ,
:: بازدید از این مطلب : 57

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0

این پروژه یک پروژه کامل و کارامد و قابل ارایه برای دروس مدار های منطقی ، مدار های الکترونیکی ، معماری کامپیوتر و آزمایشگاه های هر سه درس می باشد. از مهمترین ویژگی های این پروژه این است که از قابلیت ویرایش و تغییرات جهت نمایش ساده یا حرفه ای دارد و با وجود ظرافت هایی که در آن استفاده شده کارکردن با آن بسیار ساده است. این پروژه تاکنون در هیچ سایتی نمایش داده نشده و طراح آن خودم هستم. مطمئن باشید با ارایه این پروژه نمره ای کمتر از بیست نخواهید گرفت.
نحوه کار با این پروژه به صورتی است که توسط دو سری چهارتایی از ورودی های سمت چپ مقادیر عملوندها وارد می شود و تک ورودی سمت چپ منها یا جمع را مشخص می کند و پنج خروجی سمت راست پاسخ جمع یا تفریق را نمایش می دهد. این محاسبات در هر دو حالت باینری و bcd قابل نمایش است.

:: برچسب‌ها: پروژه , مدار , معماری , آز مدار , آز معماری , جمع کننده , تفریق , چهاربیتی , 4بیتی , 4bity , bcd , طراحی مدار , پروتئوس , proteus , logic , diagram , ic , 7483 , چهار بیتی , 4 بیتی , 4 bity , از مدار , از معماری , آزمدار , آزمعماری , مدارمنطقی ,
:: بازدید از این مطلب : 65

|

امتیاز مطلب : 0

|

تعداد امتیازدهندگان : 0

|

مجموع امتیاز : 0